中芯传今年完成5纳米开发，但良率仅台积电3成（图）
中国大陆半导体代工厂中芯国际传出将在今年完成5纳米芯片的开发，但成本却高出台积电多达50%，良率预计也只有台积电的3成。
根据Wccftech报道，中芯国际虽然有机会在今年完成5纳米芯片的开发，但仍面对不少障碍，主要是无法获得先进的EUV（极紫外光微影）设备，只能采用较旧的DUV（深紫外光微影）设备，导致生产步骤增加。
报道提到，这些步骤导致制造时间拉长，也降低了产量，并造成更多的不良批次，不只成本高出台积电5成，良率也只有台积电的33%。
目前还不清楚中芯何时能量产5纳米芯片，但爆料者透露，华为将把中芯的5纳米技术用在其AI芯片升腾910C，减少大陆对英伟达AI芯片的依赖。
报道认为，中国半导体业要真正解决目前的难题，唯一出路就是祈祷大陆能研发出国产的EUV设备。
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